NTGS5120P


Power mosfet ?60 v, ?2.9 a, single p?channel, tsop?6

Купить NTGS5120P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTGS5120P
Версия для печати

Технические характеристики NTGS5120P

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs111 mOhm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs18.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds942pF @ 30V
Power - Max600mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-74, SOT-457
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTGS5120P (MOSFET)

Power MOSFET ?60 V, ?2.9 A, Single P?Channel, TSOP?6

Производитель:
ON Semiconductor

NTGS5120P datasheet
106.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход