NTHD4502N

Версия для печати

Технические характеристики NTHD4502N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 15V
Power - Max	640mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHD4502N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N?Channel ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHD4502N datasheet
67.2 Кб