NTHD5903

Версия для печати

Технические характеристики NTHD5903

FET Type	2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Power - Max	1.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHD5903 (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?3.0 A, Dual P?Channel ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHD5903 datasheet
67.9 Кб