NTHD5904N

Версия для печати

Технические характеристики NTHD5904N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	465pF @ 16V
Power - Max	640mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHD5904N (MOSFET)

Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N?Channel, ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHD5904N datasheet
65.4 Кб