NTHS2101P

Версия для печати

Технические характеристики NTHS2101P

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 6.4V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHS2101P (MOSFET)

Power MOSFET ?8.0 V, ?7.5 A P?Channel ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHS2101P datasheet
54.7 Кб