NTHS4101P

Версия для печати

Технические характеристики NTHS4101P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2100pF @ 16V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHS4101P (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, 6.7 A, P?Channel ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHS4101P datasheet
59.3 Кб