NTHS4166N
Power mosfet 30 v, 8.2 a, single n-channel, chipfet package
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-ChipFET™ |
| Корпус | ChipFET |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTHS4166N (MOSFET) Power MOSFET 30 V, 8.2 A, Single N-Channel, ChipFET Package
Производитель:
|
