NTHS5441

Версия для печати

Технические характеристики NTHS5441

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	710pF @ 5V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-ChipFET™
Корпус	ChipFET

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTHS5441 (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?5.3 A, P?Channel ChipFET

Производитель:
ON Semiconductor

NTHS5441 datasheet
66.6 Кб