NTJD4152P

Версия для печати

Технические характеристики NTJD4152P

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 880mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	880mA
Vgs(th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	155pF @ 20V
Power - Max	272mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTJD4152P (MOSFET)

Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88

Производитель:
ON Semiconductor

NTJD4152P datasheet
88.3 Кб