NTJS4160N

Версия для печати

Технические характеристики NTJS4160N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.75nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	230pF @ 10V
Power - Max	300mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-88

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTJS4160N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SC-88

Производитель:
ON Semiconductor

NTJS4160N datasheet
81.7 Кб