NTLGD3502N
Power mosfet 20 v, 5.8 a/4.6 a dual n-channel, dfn6 3x3 mm package
|
Версия для печати
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.3A, 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 10V |
| Power - Max | 1.74W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Корпус | 6-DFN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTLGD3502N (MOSFET) Power MOSFET 20 V, 5.8 A/4.6 A Dual N-Channel, DFN6 3x3 mm Package
Производитель:
|
