NTLJD3115P
Power mosfet ?20 v, ?4.1 a, cool dual p?channel, 2x2 mm wdfn package
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 531pF @ 10V |
| Power - Max | 710mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус | 6-WDFN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTLJD3115P (MOSFET) Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Cool Dual P?Channel, 2x2 mm WDFN Package
Производитель:
|
