NTLJS4149P


Power mosfet -30 v, -5.9 a, cool single p-channel, 2x2 mm, wdfn package

Купить NTLJS4149P ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTLJS4149P
Версия для печати

Технические характеристики NTLJS4149P

FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs62 mOhm @ 2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.7A
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds960pF @ 15V
Power - Max700mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-WDFN Exposed Pad
Корпус6-WDFN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTLJS4149P (MOSFET)

Power MOSFET -30 V, -5.9 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTLJS4149P datasheet
91.2 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход