NTMD3P03R2


Power mosfet ?3.05 amps, ?30 volts dual p?channel soic?8

Купить NTMD3P03R2 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMD3P03R2
Версия для печати

Технические характеристики NTMD3P03R2

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 3.05A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.34A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds750pF @ 24V
Power - Max730mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMD3P03R2 (MOSFET)

Power MOSFET ?3.05 Amps, ?30 Volts Dual P?Channel SOIC?8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMD3P03R2 datasheet
146.9 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход