NTMD6P02R2

Версия для печати

Технические характеристики NTMD6P02R2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 16V
Power - Max	750mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMD6P02R2 (MOSFET)

Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P?Channel SOIC?8, Dual

Производитель:
ON Semiconductor

NTMD6P02R2 datasheet
77.3 Кб