NTMFS4108N

Версия для печати

Технические характеристики NTMFS4108N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 21A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	13.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	54nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6000pF @ 15V
Power - Max	910mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	5-DFN, SO8 FL
Корпус	6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMFS4108N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 35 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTMFS4108N datasheet
90.5 Кб