NTMFS4833N

Версия для печати

Технические характеристики NTMFS4833N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	88nC @ 11.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5600pF @ 12V
Power - Max	910mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	5-DFN, SO8 FL
Корпус	6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMFS4833N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N?Channel, SO?8 FL

Производитель:
ON Semiconductor

NTMFS4833N datasheet
113.6 Кб