NTMFS4851N

Версия для печати

Технические характеристики NTMFS4851N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1850pF @ 12V
Power - Max	870mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	5-DFN, SO8 FL
Корпус	6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMFS4851N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N-Channel, SO-8 FL

Производитель:
ON Semiconductor

NTMFS4851N datasheet
85.6 Кб