NTMS4176P

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4176P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1720pF @ 24V
Power - Max	810mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4176P (MOSFET)

Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS4176P datasheet
86.4 Кб