NTMS4706N
Power mosfet 30 v, 10.3 a, single n?channel, so?8
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 950pF @ 24V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTMS4706N (MOSFET) Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N?Channel, SO?8
Производитель:
|
