NTMS4800N


Power mosfet 30 v, 8 a, n?channel, soic?8

Купить NTMS4800N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMS4800N
Версия для печати

Технические характеристики NTMS4800N

FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 7.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.9A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds940pF @ 25V
Power - Max750mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4800N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 8 A, N?Channel, SOIC?8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS4800N datasheet
109 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход