NTMS4801N

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4801N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2201pF @ 25V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4801N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 12 A, N?Channel, SOIC?8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS4801N datasheet
107.1 Кб