NTMS4872N

Версия для печати

Технические характеристики NTMS4872N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 15V
Power - Max	820mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS4872N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 10.2 A, N?Channel, SO?8

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS4872N datasheet
112.6 Кб