NTMS5P02R2

Версия для печати

Технические характеристики NTMS5P02R2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.95A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1900pF @ 16V
Power - Max	790mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTMS5P02R2 (MOSFET)

Power MOSFET ?5.4 Amps, ?20 Volts P?Channel Enhancement?Mode Single SOIC?8 Package

Производитель:
ON Semiconductor

NTMS5P02R2 datasheet
121.9 Кб