NTP30N20

Версия для печати

Технические характеристики NTP30N20

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	81 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2335pF @ 25V
Power - Max	214W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTP30N20 (MOSFET)

Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N?Channel Enhancement?Mode TO?220

Производитель:
ON Semiconductor

NTP30N20 datasheet
158.4 Кб