NTP5412N

Версия для печати

Технические характеристики NTP5412N

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 30A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	85nC @ 0V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3220pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTP5412N (MOSFET)

Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220

Производитель:
ON Semiconductor

NTP5412N datasheet
117.9 Кб