NTR3162P

Версия для печати

Технические характеристики NTR3162P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	940pF @ 10V
Power - Max	480mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTR3162P (MOSFET)

Power MOSFET ?20 V, ?3.6 A, Single P?Channel, SOT?23

Производитель:
ON Semiconductor

NTR3162P datasheet
124.2 Кб