NTS4173P

Версия для печати

Технические характеристики NTS4173P

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	430pF @ 15V
Power - Max	290mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTS4173P (MOSFET)

Power MOSFET ?30 V, ?1.3 A, Single P?Channel, SC?70

Производитель:
ON Semiconductor

NTS4173P datasheet
108.8 Кб