NTTFS4823N

Версия для печати

Технические характеристики NTTFS4823N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1013pF @ 12V
Power - Max	660mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-WDFN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTTFS4823N (MOSFET)

Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N?Channel, m8FL

Производитель:
ON Semiconductor

NTTFS4823N datasheet
128.7 Кб