NTTS2P02R2

Версия для печати

Технические характеристики NTTS2P02R2

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 16V
Power - Max	780mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус	Micro8™
Product Change Notification	Discontinuance 11/Feb/2009

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTTS2P02R2 (MOSFET)

Power MOSFET ?2.4 Amps, ?20 Volts Single P?Channel Micro8

Производитель:
ON Semiconductor

NTTS2P02R2 datasheet
144.4 Кб