NTZS3151P

Версия для печати

Технические характеристики NTZS3151P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	860mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	458pF @ 16V
Power - Max	170mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-563
Корпус	SOT-563

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NTZS3151P (MOSFET)

Small Signal MOSFET ?20 V, ?950 mA, P?Channel SOT?563

Производитель:
ON Semiconductor

NTZS3151P datasheet
130.5 Кб