PH1875L
N-канальный trenchmos транзистор с логическим уровнем fet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 45.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33.4nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| Power - Max | 62.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-100, SOT-669 |
| Корпус | LFPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PH1875L (MOSFET) N-канальный TrenchMOS транзистор с логическим уровнем FET
Производитель:
|
