PH1955L

Версия для печати

Технические характеристики PH1955L

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.3 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1992pF @ 25V
Power - Max	75W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH1955L (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

PH1955L datasheet
77.4 Кб