PH6325L

Версия для печати

Технические характеристики PH6325L

Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	78.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	13.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1871pF @ 12V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PH6325L (MOSFET)

N-channel Trenchmos (tm) logic level FET

Производитель:
NXP

PH6325L datasheet
138.7 Кб