PHB32N06LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHB32N06LT (NXP.)	420	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHB32N06LT

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	34A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1280pF @ 25V
Power - Max	97W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHB32N06LT (MOSFET)

N-channel enhancement mode field effect transistor

Производитель:
NXP

PHB32N06LT datasheet
274.3 Кб