PHD101NQ03LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD101NQ03LT (NXP.)	1 249	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD101NQ03LT

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	23nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 25V
Power - Max	166W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD101NQ03LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

PHD101NQ03LT datasheet
90.5 Кб