PHD38N02LT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PHD38N02LT (NXP.)	823	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PHD38N02LT

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 25A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	44.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 20V
Power - Max	57.6W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHD38N02LT (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

PHD38N02LT datasheet
84.3 Кб