PHK18NQ03LT
N-channel trenchmos logic level fet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1380pF @ 12V |
| Power - Max | 6.25W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PHK18NQ03LT (MOSFET) N-channel TrenchMOS logic level FET
Производитель:
|
