PHP119NQ06T

Версия для печати

Технические характеристики PHP119NQ06T

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.1 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2820pF @ 25V
Power - Max	200W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PHP119NQ06T (MOSFET)

N-channel Trenchmos (tm) standard level FET

Производитель:
NXP

PHP119NQ06T datasheet
94.1 Кб