PMF3800SN

Версия для печати

Технические характеристики PMF3800SN

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	260mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.85nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	40pF @ 10V
Power - Max	560mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMF3800SN (MOSFET)

N-channel TrenchMOS standard level FET

Производитель:
NXP

PMF3800SN datasheet
84.6 Кб