PMK50XP

Версия для печати

Технические характеристики PMK50XP

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1020pF @ 20V
Power - Max	5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMK50XP (MOSFET)

P-channel TrenchMOS extremely low level FET

Производитель:
NXP

PMK50XP datasheet
93.1 Кб