PMZ270XN
N-channel trenchmos extremely low level fet
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.15A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 34pF @ 20V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-101, SOT-883 |
| Корпус | SC-101 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PMZ270XN (Транзисторы) N-channel TrenchMOS extremely low level FET
Производитель:
|
