PMZ350XN

Версия для печати

Технические характеристики PMZ350XN

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 200mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.87A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.65nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	37pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-101, SOT-883
Корпус	SC-101

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMZ350XN (Транзисторы)

N-channel TrenchMOS standard level FET

Производитель:
NXP

PMZ350XN datasheet
84.2 Кб