PSMN102-200Y
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1568pF @ 30V |
| Power - Max | 113W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-100, SOT-669 |
| Корпус | LFPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PSMN102-200Y (MOSFET) N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET
Производитель:
|
