PSMN1R5-25YL

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN1R5-25YL (NXP.)	396	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN1R5-25YL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	76nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4830pF @ 12V
Power - Max	109W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN1R5-25YL (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

PSMN1R5-25YL datasheet
199.7 Кб