PSMN2R5-30YL

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN2R5-30YL (NXP.)	588	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN2R5-30YL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	57nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3468pF @ 12V
Power - Max	88W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN2R5-30YL (MOSFET)

N-channel TrenchMOS logic level FET

Производитель:
NXP

PSMN2R5-30YL datasheet
194.5 Кб