PSMN6R0-30YL
N-channel trenchmos logic level fet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 79A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1425pF @ 12V |
| Power - Max | 55W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-100, SOT-669 |
| Корпус | LFPAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PSMN6R0-30YL (MOSFET) N-channel TrenchMOS logic level FET
Производитель:
|
