RFD12N06RLE

Версия для печати

Технические характеристики RFD12N06RLE

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	485pF @ 25V
Power - Max	49W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Корпус	I-Pak
Product Change Notification	Product Discontinuation 09/Sept/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RFD12N06RLE (MOSFET)

17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

RFD12N06RLE datasheet
216 Кб