Si1012R
N-channel 1.8-v (g-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1012R
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| Power - Max | 150mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75A |
| Корпус | SC-75A |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1012R (MOSFET)
N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
