Si1069X
P-channel 20-v (d-s) mosfet
Версия для печати
Технические характеристики Si1069X
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 940mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.86nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 308pF @ 10V |
| Power - Max | 236mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SC-89-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
Si1069X (MOSFET)
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Производитель:
Vishay
|
